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BSC123N10LSGATMA1

制造商:

Infineon

制造商物料号#:

BSC123N10LSGATMA1

规格书:
描述:

金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) TDSON-8 SMD/SMT N-Channel 通道数量:1 114 W 100 V 连续漏极电流(ID):71 A 68 nC

参数项
通道数量1
包装方式Reel
RoHSCompliant
FET类型N-Channel
栅极电荷68 nC
栅 - 源阈值电压1.2 V
连续漏极电流(ID)71 A
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
漏源导通电阻10 mΩ
漏 - 源击穿电压100 V
栅 - 源电压-20 V, 20 V
功耗114 W
输入电容3.7 nF

库存: 7829

销售商
pcbx
单价¥8.16795
总价¥8.16795
数量单价总价
1¥8.16795¥8.16795
10¥5.95884¥59.58840
25¥5.25000¥131.25000
50¥4.62549¥231.27450
100¥4.07524¥407.52400
300¥3.63915¥1091.74500
500¥3.24972¥1624.86000
1000¥2.76719¥2767.19000
3000¥2.70551¥8116.53000
5000¥2.64520¥13226.00000
10000¥2.58121¥25812.10000