SI9804DY-T1-E3-VB
制造商:
VBsemi
制造商物料号#:
SI9804DY-T1-E3-VB
规格书:
描述:
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET） SO-8 SMD/SMT N-Channel 通道数量:1 4.1 W 30 V 连续漏极电流（ID）:13 A 15 nC
| 参数项 | 值 |
|---|---|
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装方式 | Reel |
| RoHS | Compliant |
| 功耗 | 4.1 W |
| 通道数量 | 1 |
| 输入电容 | 800 pF |
| 连续漏极电流（ID） | 13 A |
| FET类型 | N-Channel |
| 栅极电荷 | 15 nC |
| 漏源导通电阻 | 8 mΩ |
| 栅 - 源电压 | -20 V, 20 V |
| 漏 - 源击穿电压 | 30 V |
| 栅 - 源阈值电压 | 1 V to 3 V |
库存不足
销售商
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--单价¥--
总价¥--
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
暂无数据 | ||