SI1922EDH-T1-GE3
制造商:
Vishay
制造商物料号#:
SI1922EDH-T1-GE3
规格书:
描述:
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET） SOT-363 SMD/SMT N-Channel 通道数量:2 740 mW 20 V 连续漏极电流（ID）:1.3 A 2.5 nC
| 参数项 | 值 |
|---|---|
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 引脚数量 | 6 |
| 高度 | 1.1 mm |
| 包装方式 | Reel |
| 辐射硬化 | No |
| RoHS | Compliant |
| SVHC达标 | No SVHC |
| 元件数 | 2 |
| 最大功耗 | 1.25 W |
| 功耗 | 740 mW |
| 阈值电压 | 400 mV |
| 通道数量 | 2 |
| 连续漏极电流（ID） | 1.3 A |
| 最大漏 - 源导通电阻 | 198 mΩ |
| 漏 - 源电压 | 20 V |
| 导通延迟时间 | 22 ns |
| 关断延迟时间 | 645 ns |
| 配置 | Dual |
| 下降时间 | 220 ns |
| 上升时间 | 80 ns |
| 栅极电荷 | 2.5 nC |
| 漏源导通电阻 | 165 mΩ |
| 最高结点温度（Tj） | 150 °C |
| 栅 - 源电压 | 8 V |
| 漏 - 源击穿电压 | 20 V |
| 栅 - 源阈值电压 | 1 V |
| FET类型 | N-Channel |
库存: 8929
销售商
pcbx
pcbx单价¥2.51144
总价¥2.51144
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ¥2.51144 | ¥2.51144 |
| 10 | ¥1.54638 | ¥15.46380 |
| 50 | ¥1.24351 | ¥62.17550 |
| 100 | ¥0.99994 | ¥99.99400 |
| 500 | ¥0.76160 | ¥380.80000 |
| 1000 | ¥0.69761 | ¥697.61000 |
| 3000 | ¥0.54066 | ¥1621.98000 |
| 5000 | ¥0.51659 | ¥2582.95000 |
| 10000 | ¥0.49361 | ¥4936.10000 |