SI7615CDN-T1-GE3
制造商:
Vishay
制造商物料号#:
SI7615CDN-T1-GE3
规格书:
描述:
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET） PowerPAK 1212-8 SMD/SMT P-Channel 通道数量:1 33 W 20 V 连续漏极电流（ID）:35 A 111 nC
| 参数项 | 值 |
|---|---|
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装方式 | Reel |
| RoHS | Compliant |
| 功耗 | 33 W |
| 通道数量 | 1 |
| 输入电容 | 3.86 nF |
| 连续漏极电流（ID） | 35 A |
| 栅极电荷 | 111 nC |
| 漏源导通电阻 | 7.2 mΩ |
| 栅 - 源电压 | -8 V, 8 V |
| 漏 - 源击穿电压 | 20 V |
| 附表B | 8541290080 |
| 栅 - 源阈值电压 | 1 V |
| FET类型 | P-Channel |
库存: 13123
销售商
pcbx
pcbx单价¥2.84858
总价¥2.84858
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ¥2.84858 | ¥2.84858 |
| 10 | ¥2.08127 | ¥20.81270 |
| 50 | ¥1.68626 | ¥84.31300 |
| 100 | ¥1.36618 | ¥136.61800 |
| 500 | ¥1.04645 | ¥523.22500 |
| 1000 | ¥0.92432 | ¥924.32000 |
| 3000 | ¥0.80226 | ¥2406.78000 |
| 5000 | ¥0.70638 | ¥3531.90000 |
| 10000 | ¥0.62199 | ¥6219.90000 |