SI7848BDP-T1-GE3
制造商:
Vishay
制造商物料号#:
SI7848BDP-T1-GE3
规格书:
描述:
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET） PowerPAK SO-8 SMD/SMT N-Channel 通道数量:1 4.2 W 40 V 连续漏极电流（ID）:47 A 50 nC
| 参数项 | 值 |
|---|---|
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 5.89 mm |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 引脚数量 | 8 |
| 阻值 | 9 mΩ |
| 高度 | 1.04 mm |
| 包装方式 | Reel |
| 无铅 | Lead Free |
| 辐射硬化 | No |
| RoHS | Compliant |
| SVHC达标 | No SVHC |
| 重量 | 506.605978 mg |
| 元件数 | 1 |
| 最大功耗 | 36 W |
| 功耗 | 4.2 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 通道数量 | 1 |
| 输入电容 | 2 nF |
| 连续漏极电流（ID） | 47 A |
| 最大漏 - 源导通电阻 | 9 mΩ |
| 漏 - 源电压 | 40 V |
| FET类型 | N-Channel |
| 导通延迟时间 | 10 ns |
| 关断延迟时间 | 30 ns |
| 配置 | Single |
| 上升时间 | 15 ns |
| 栅极电荷 | 50 nC |
| 漏源导通电阻 | 9 mΩ |
| 栅 - 源电压 | 20 V |
| 漏 - 源击穿电压 | 40 V |
| 附表B | 8541290080 |
| 栅 - 源阈值电压 | 1 V |
库存: 2251
销售商
pcbx
pcbx单价¥11.78984
总价¥11.78984
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.78984 | ¥11.78984 |
| 10 | ¥7.79008 | ¥77.90080 |
| 25 | ¥7.46470 | ¥186.61750 |
| 50 | ¥7.15292 | ¥357.64600 |
| 100 | ¥6.85412 | ¥685.41200 |
| 300 | ¥6.68045 | ¥2004.13500 |
| 500 | ¥6.51113 | ¥3255.56500 |
| 1000 | ¥5.91232 | ¥5912.32000 |
| 3000 | ¥5.66236 | ¥16987.08000 |
| 5000 | ¥5.31936 | ¥26596.80000 |