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制造商
封装
通道数量
输出类型
正向电流
正向电压
上升时间
下降时间
电流传输比
最低工作温度
最高工作温度
包装方式
结果: 1756
序号制造商&物料号数量与库存
销售商
单价/总价
1
EL1019-UMW
UMW
EL1019
光电耦合器 SOP-4 SMD/SMT 通道数量:1 Phototransistor 50 mA 1.24 V 上升时间:5 µs 下降时间:6 µs
最小起订量: 1
库存: 6551
pcbx
¥0.90263 / ¥0.90263
2
TLP2362(TPL,E(T-Toshiba
Toshiba
光电耦合器 SOIC-5 SMD/SMT 通道数量:1 Open Collector 10 mA 1.55 V 上升时间:30 ns 下降时间:30 ns
最小起订量: 1
库存: 15037
pcbx
¥2.67872 / ¥2.67872
3
TLP127(TPL,U,F)-Toshiba
Toshiba
光电耦合器 SOP-4 SMD/SMT 通道数量:1 Darlington 50 mA 1.3 V 上升时间:40 µs 下降时间:15 µs
最小起订量: 1
库存: 18804
pcbx
¥3.91571 / ¥3.91571
4
TLP2345(TPL,E-Toshiba
Toshiba
光电耦合器 SOIC-6 SMD/SMT 15 mA 1.55 V 上升时间:3 ns 下降时间:3 ns
最小起订量: 1
库存: 11032
pcbx
¥4.52982 / ¥4.52982
5
TLP350(TP1,F)-Toshiba
Toshiba
光电耦合器 SMD-8 SMD/SMT 通道数量:1 20 mA 1.6 V 上升时间:15 ns 下降时间:8 ns
最小起订量: 1
库存: 6102
pcbx
¥4.74340 / ¥4.74340
6
最小起订量: 1
库存: 10005
pcbx
¥0.74228 / ¥0.74228
7
EL3063-Everlight
EL3063
光电耦合器 DIP-6 Through Hole 通道数量:1 PhotoTriac 60 mA 1.5 V
最小起订量: 1
库存: 47212
pcbx
¥0.95621 / ¥0.95621
8
EL357N(A)(TA)-G-Everlight
光电耦合器 SOP-4 SMD/SMT 通道数量:1 Transistor 50 mA 1.2 V 上升时间:3 µs 下降时间:4 µs
最小起订量: 1
库存: 3652
pcbx
¥0.91881 / ¥0.91881
9
EL3H7(B)(TA)-G-Everlight
光电耦合器 SOP-4 SMD/SMT 通道数量:1 NPN Phototransistor 50 mA 1.4 V 上升时间:18 µs 下降时间:18 µs
最小起订量: 1
库存: 50830
pcbx
¥1.03142 / ¥1.03142
10
LTV-217-B-G-Lite-On
Lite-On
光电耦合器 SOIC-4 SMD/SMT 通道数量:1 Phototransistor 20 mA 1.4 V
最小起订量: 1
库存: 71898
pcbx
¥0.71100 / ¥0.71100
11
TLP265J(TPR,E(T-Toshiba
Toshiba
光电耦合器 SO-4 SMD/SMT 通道数量:1 10 mA 1.4 V
最小起订量: 1
库存: 1623
pcbx
¥2.20707 / ¥2.20707
12
TLP560G(F)-Toshiba
Toshiba
光电耦合器 DIP-6 Through Hole 通道数量:1 10 mA 1.3 V
最小起订量: 1
库存: 1866
pcbx
¥3.65765 / ¥3.65765
13
TLP2348(TPL,E(T-Toshiba
Toshiba
光电耦合器 SOP-5 SMD/SMT 通道数量:1 Photo IC 15 mA 1.55 V 上升时间:3 ns 下降时间:3 ns
最小起订量: 1
库存: 2294
pcbx
¥3.39061 / ¥3.39061
14
ACPL-K33T-560E-Broadcom
光电耦合器 SOIC-8 SMD/SMT 通道数量:1 20 mA 1.5 V 上升时间:15 ns 下降时间:15 ns
最小起订量: 1
库存: 732
pcbx
¥17.18475 / ¥17.18475
15
4N35-Lite-On
Lite-On
4N35
最小起订量: 1
库存: 2109
pcbx
¥1.53476 / ¥1.53476
16
LTV-814HS-TA1-Lite-On
Lite-On
光电耦合器 SMD-4 SMD/SMT 通道数量:1 Transistor 100 mA 1.4 V 上升时间:18 µs 下降时间:3 µs
最小起订量: 1
库存: 5108
pcbx
¥2.38353 / ¥2.38353
17
LTV-816S-Lite-On
Lite-On
光电耦合器 SMD-4 SMD/SMT 通道数量:1 20 mA 1.2 V 上升时间:18 µs
最小起订量: 1
库存: 9856
pcbx
¥1.27901 / ¥1.27901
18
VO2631-X017T-Vishay
Vishay
光电耦合器 SMD-8 SMD/SMT 通道数量:2 Open Drain 20 mA 1.4 V 上升时间:23 ns 下降时间:23 ns
最小起订量: 1
库存: 717
pcbx
¥12.42353 / ¥12.42353
19
QRD1114-On Semiconductor
QRD1114
光电耦合器 6.10mmL×4.39mmW×4.65mmH Through Hole 通道数量:1 Phototransistor 50 mA 1.7 V 上升时间:10 µs 下降时间:50 µs
最小起订量: 1
库存: 251
pcbx
¥5.02288 / ¥5.02288
20
TLP2770(E-Toshiba
Toshiba
光电耦合器 SOIC-6 SMD/SMT 通道数量:1 Totem Pole 1.3 mA 1.5 V 上升时间:1.3 ns 下降时间:1 ns
最小起订量: 1
库存: 2237
pcbx
¥9.40623 / ¥9.40623
21
TLP291-4(GB,E)-Toshiba
Toshiba
光电耦合器 SOIC-16 SMD/SMT 通道数量:4 Transistor 50 mA 1.2 V 上升时间:2 µs 下降时间:3 µs
最小起订量: 1
库存: 1785
pcbx
¥6.04023 / ¥6.04023
22
TLP293-4(E-Toshiba
Toshiba
光电耦合器 SOIC-16 SMD/SMT 通道数量:4 Transistor 10 mA 1.25 V 上升时间:2 µs 下降时间:3 µs
最小起订量: 1
库存: 2054
pcbx
¥6.55180 / ¥6.55180
23
HCPL-4504-560E-Broadcom
光电耦合器 SMD-8 SMD/SMT 通道数量:1 Phototransistor 25 mA 1.5 V
最小起订量: 1
库存: 1978
pcbx
¥11.61542 / ¥11.61542
24
ACPL-W343-060E-Broadcom
光电耦合器 SOIC-6 SMD/SMT 通道数量:1 1.55 V 上升时间:43 ns 下降时间:40 ns
最小起订量: 1
库存: 890
pcbx
¥14.25477 / ¥14.25477
25
FOD817S-On Semiconductor
FOD817S
光电耦合器 SMD-4 SMD/SMT 通道数量:1 NPN Phototransistor 50 mA 1.4 V 上升时间:18 µs 下降时间:18 µs
最小起订量: 1
库存: 9390
pcbx
¥2.04054 / ¥2.04054
封装最高工作温度最低工作温度包装方式RoHS正向电流正向电压输出类型通道数量下降时间上升时间输出电压绝缘电压输入电流引脚数量辐射硬化触点电镀元件数最大功耗功耗最大集电极电流集电极 - 发射极最大电压电流传输比每个通道的输出电流反向击穿电压最大输入电流最大输出电压集电极 - 发射极饱和电压无铅最大输出电流导通延迟时间传播延迟方向批准保持电流RMS电流(Irms)最大输入电压集电极 - 发射极击穿电压附表B电路数量高度反向电压最高结点温度(Tj)输出电流长度宽度SVHC达标重量工作电源电压寿命周期状态响应时间波长感应距离反向电压(DC)制造商寿命周期状态数据速率高电平输出电流低电平输出电流脉宽失真(PWD)
SOP-4110 °C-55 °CReelCompliant50 mA1.24 VPhototransistor16 µs5 µs------------------------------------------------------------------------------------------------
SOIC-5125 °C-40 °CReelCompliant10 mA1.55 VOpen Collector130 ns30 ns6 V3.75 kV14 mA------------------------------------------------------------------------------------------
SOP-4100 °C-55 °CReelNon-Compliant50 mA1.3 VDarlington115 µs40 µs--2.5 kV--4NoCopper, Silver, Tin1200 mW200 mW150 mA300 V4000 %150 mA5 V50 mA300 V1.2 V--------------------------------------------------------------
SOIC-6110 °C-40 °CReelCompliant15 mA1.55 V----3 ns3 ns------------------------------------------------------------------------------------------------
SMD-8100 °C-40 °CReelCompliant20 mA1.6 V--18 ns15 ns13.7 V3.75 kV--8----------------2.5 A--------Lead Free2.5 A500 ns260 nsUnidirectional----------------------------------------------------
SMD-4110 °C-55 °CReelCompliant60 mA1.2 VPhotovoltaic118 µs18 µs----------------------50 % to 600 %------------------------------------------------------------------------
DIP-6100 °C-55 °CTubeCompliant60 mA1.5 VPhotoTriac1----------6No----330 mW--------------600 V--Lead Free--------CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL280 µA100 mA1.5 V--------------------------------------------
SOP-4110 °C-55 °CReelCompliant50 mA1.2 VTransistor14 µs3 µs80 V----4No----200 mW--50 mA200 mV80 % to 160 %50 mA--50 mA--200 mV----------UL------80 V------------------------------------------
SOP-4125 °C-55 °CReelCompliant50 mA1.4 VNPN Phototransistor118 µs18 µs80 V3.75 kV--4No--1200 mW200 mW50 mA80 V260 %50 mA6 V50 mA--200 mV--------------------8541408000----------------------------------------
SOIC-485 °C-40 °CReelCompliant20 mA1.4 VPhototransistor1----------4------200 mW--30 mA400 mV--50 mA--50 mA20 V400 mV--------------------------------------------------------------
SO-4100 °C-40 °CReelCompliant10 mA1.4 V--1----------------------------------------------------------------------------------------------------
DIP-6100 °C-40 °CTubeCompliant10 mA1.3 V--1----------------------------------------------------------------------------------------------------
SOP-5110 °C-40 °CReelCompliant15 mA1.55 VPhoto IC13 ns3 ns------------------------------------------------------------------------------------------------
SOIC-8125 °C-40 °CReelCompliant20 mA1.5 V--115 ns15 ns------------------------------------------------------------------------------------------------
DIP-6100 °C-55 °CTubeCompliant60 mA1.5 VTransistor with Base13 µs3 µs----------------------100 %----------Lead Free------------------8541408000----------------------------------------
SMD-4100 °C-30 °CReelCompliant100 mA1.4 VTransistor13 µs18 µs35 V----4----1320 mW320 mW80 mA35 V80 %80 mA--150 mA35 V200 mVLead Free------------------85414080001--------------------------------------
SMD-4110 °C-50 °CTubeCompliant20 mA1.2 V--1--18 µs80 V5 kV--4No--1200 mW200 mW50 mA80 V320 %50 mA6 V50 mA80 V200 mVLead Free------------------854140800014.6 mm6 V125 °C--------------------------------
SMD-8100 °C-40 °CReelCompliant20 mA1.4 VOpen Drain223 ns23 ns--5.3 kV--8No--260 mW60 mW------50 mA5 V--------50 mA100 ns100 nsUnidirectional----------8541408000--------50 mA------------------------------
6.10mmL×4.39mmW×4.65mmH85 °C-40 °CBulkCompliant50 mA1.7 VPhototransistor150 µs10 µs30 V--20 mA4NoTin1100 mW100 mW1 mA30 V----5 V------Lead Free----------------30 V8541408000--4.65 mm------6.1 mm4.39 mmNo SVHC0 g1.7 VProduction (Last Updated: 5 months ago)50 µs940 nm1.27 mm5 VACTIVE (Last Updated: 5 months ago)--------
SOIC-6125 °C-40 °CTubeNon-Compliant1.3 mA1.5 VTotem Pole11 ns1.3 ns------------------------------------------------------8541408000----------------------------------------
SOIC-16110 °C-55 °CBulkCompliant50 mA1.2 VTransistor43 µs2 µs--2.5 kV50 mA16No--4170 mW170 mW50 mA80 V400 %50 mA5 V50 mA80 V200 mV--50 mA------------1.4 V80 V----2.3 mm--125 °C50 mA------------------------------
SOIC-16125 °C-55 °CTubeCompliant10 mA1.25 VTransistor43 µs2 µs--------------------300 mV600 %50 mA----80 V----------------------8541408000----------------------------------------
SMD-8100 °C-55 °CReelCompliant25 mA1.5 VPhototransistor1----20 V3.75 kV16 mA8----1100 mW100 mW8 mA--65 %8 mA5 V25 mA20 V--Lead Free----------------------------------------------------1 Mbps------
SOIC-6105 °C-40 °CTubeCompliant--1.55 V--140 ns43 ns30 V5 kV16 mA6------700 mW--------4 A----------4 A--200 ns--CSA, EN, IEC, UR--------------------------------------------3 A3 A70 ns
SMD-4110 °C-55 °CBoxCompliant50 mA1.4 VNPN Phototransistor118 µs18 µs70 V5 kV50 mA4----1200 mW200 mW50 mA200 mV600 %50 mA6 V50 mA70 V200 mVLead Free------------------85414080001--------------0 g--Production (Last Updated: 5 months ago)------6 VACTIVE (Last Updated: 5 months ago)--------